- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Tin tức
Công ty TNHH Sanan Optoelectronics: Chip SiC 8 inch dự kiến sẽ được đưa vào sản xuất vào tháng 12!
Là nhà sản xuất hàng đầu trong ngành SiC, động lực liên quan đến Sanan Optoelectronics đã nhận được sự chú ý rộng rãi trong ngành. Gần đây, Sanan Optoelectronics đã tiết lộ một loạt phát triển mới nhất, liên quan đến chuyển đổi 8 inch, sản xuất nhà máy chất nền mới, thành lập công ty mới, trợ cấp củ......
Đọc thêm
Ứng dụng của các bộ phận than chì được phủ TaC trong lò nung đơn tinh thể
Trong quá trình phát triển các tinh thể đơn SiC và AlN bằng phương pháp vận chuyển hơi vật lý (PVT), các thành phần quan trọng như nồi nấu kim loại, giá đỡ hạt và vòng dẫn hướng đóng một vai trò quan trọng. Như mô tả trong Hình 2 [1], trong quá trình PVT, tinh thể mầm được đặt ở vùng nhiệt độ thấp h......
Đọc thêm
Các lộ trình kỹ thuật khác nhau của lò tăng trưởng epiticular SiC
Chất nền cacbua silic có nhiều khuyết tật và không thể xử lý trực tiếp. Một màng mỏng đơn tinh thể cụ thể cần được phát triển trên chúng thông qua quy trình epiticular để tạo ra các tấm chip. Lớp màng mỏng này là lớp epitaxy. Hầu hết tất cả các thiết bị cacbua silic đều được thực hiện trên vật liệu ......
Đọc thêm
