Đặc điểm của epitaxy silicon

Các đặc điểm của epitaxy silicon như sau:

Độ tinh khiết cao: Lớp epiticular silicon được hình thành bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD) có độ tinh khiết cực cao, độ phẳng bề mặt tốt hơn và mật độ khuyết tật thấp hơn so với các tấm wafer truyền thống.

Tính đồng nhất của màng mỏng: Epit Wax silicon có thể tạo thành một màng mỏng rất đồng đều với tốc độ tăng trưởng được đảm bảo nhất định. Đồng thời, có thể đạt được tính đồng nhất của quá trình gia nhiệt, từ đó làm giảm các khiếm khuyết về cấu trúc tinh thể và cải thiện chất lượng của tinh thể.

Khả năng kiểm soát mạnh mẽ: Công nghệ epit Wax silicon có thể kiểm soát chính xác hình thái, kích thước và cấu trúc của vật liệu silicon và có thể phát triển các cấu trúc tinh thể phức tạp, chẳng hạn như các dị vòng nhiều lớp.

Đường kính tấm wafer lớn: Công nghệ tăng trưởng epiticular silicon có thể phát triển các tấm silicon có đường kính lớn và khả năng tạo ra các tấm silicon có đường kính lớn là rất quan trọng để sản xuất chất bán dẫn.

Độ tin cậy của quy trình: Quy trình epiticular silicon có thể được tái sử dụng nhiều lần, điều này có ý nghĩa rất lớn đối với việc sản xuất hàng loạt các thiết bị bán dẫn.