Mâm cặp phủ TaC

Đầu kẹp phủ TaC của VeTek Semiconductor là giải pháp lý tưởng để đạt được kết quả đặc biệt trong quy trình SiC EPI. Với lớp phủ TaC, khả năng chịu nhiệt độ cao và độ trơ hóa học, sản phẩm của chúng tôi cho phép bạn sản xuất tinh thể chất lượng cao với độ chính xác và độ tin cậy. Chào mừng bạn đến hỏi chúng tôi.

TaC (tantalum cacbua) là vật liệu thường được sử dụng để phủ lên bề mặt các bộ phận bên trong của thiết bị epiticular. Nó có các đặc điểm sau:

● Khả năng chịu nhiệt độ cao tuyệt vời: Lớp phủ TaC có thể chịu được nhiệt độ lên tới 2200°C, khiến chúng trở nên lý tưởng cho các ứng dụng trong môi trường nhiệt độ cao như buồng phản ứng epiticular.

● Độ cứng cao: Độ cứng của TaC đạt khoảng 2000 HK, cứng hơn nhiều so với thép không gỉ hoặc hợp kim nhôm thông thường, có thể ngăn ngừa mài mòn bề mặt một cách hiệu quả.

● Tính ổn định hóa học mạnh: Lớp phủ TaC hoạt động tốt trong môi trường ăn mòn hóa học và có thể kéo dài đáng kể tuổi thọ sử dụng của các bộ phận thiết bị epiticular.

● Độ dẫn điện tốt: Lớp phủ TaC có tính dẫn điện tốt, có lợi cho việc giải phóng tĩnh điện và dẫn nhiệt.

Những đặc tính này làm cho lớp phủ TaC trở thành vật liệu lý tưởng để sản xuất các bộ phận quan trọng như ống lót bên trong, thành buồng phản ứng và bộ phận làm nóng cho thiết bị epiticular. Bằng cách phủ TaC lên các thành phần này, hiệu suất tổng thể và tuổi thọ sử dụng của thiết bị epiticular có thể được cải thiện.

Đối với epitaxy cacbua silic, khối phủ TaC cũng có thể đóng một vai trò quan trọng. Bề mặt của TaC Lớp phủ mịn và dày đặc, có lợi cho việc hình thành màng cacbua silic chất lượng cao. Đồng thời, độ dẫn nhiệt tuyệt vời của TaC có thể giúp cải thiện tính đồng nhất của sự phân bố nhiệt độ bên trong thiết bị, từ đó cải thiện độ chính xác kiểm soát nhiệt độ của quy trình epiticular và cuối cùng đạt được sự phát triển của lớp epitaxy cacbua silic chất lượng cao hơn.