Tấm wafer cách điện bằng silicon

Nguyên lý làm việc củaChất bán dẫn VeTek'STấm wafer cách điện bằng siliconchủ yếu dựa vào cấu trúc độc đáo và tính chất vật liệu của nó. Và bánh quế SOIbao gồm ba lớp: lớp trên cùng là lớp thiết bị silicon đơn tinh thể, lớp giữa là lớp Buried OXide (BOX) cách điện và lớp dưới cùng là lớp nền silicon hỗ trợ.

Sự hình thành lớp cách nhiệt: Tấm cách điện Silicon On thường được sản xuất bằng công nghệ Smart Cut™ hoặc công nghệ SIMOX (Tách bằng OXygen cấy ghép). Công nghệ Smart Cut™ bơm các ion hydro vào tấm bán dẫn silicon để tạo thành lớp bong bóng, sau đó liên kết tấm bán dẫn được bơm hydro vào tấm bán dẫn silicon hỗ trợ. Sau khi xử lý nhiệt, tấm wafer được bơm hydro được tách ra khỏi lớp bong bóng để tạo thành cấu trúc SOI. Công nghệ SIMOX cấy các ion oxy năng lượng cao vào các tấm silicon để tạo thành lớp oxit silicon ở nhiệt độ cao.

Giảm điện dung ký sinh: Lớp BOX củaTấm wafer cách điện bằng siliconcách ly hiệu quả lớp thiết bị và silicon cơ bản, làm giảm đáng kể điện dung ký sinh. Sự cách ly này làm giảm mức tiêu thụ điện năng và tăng tốc độ cũng như hiệu suất của thiết bị.

Tránh hiệu ứng chốt: Các thiết bị n-well và p-well trongbánh quế SOIđược cách ly hoàn toàn, tránh hiệu ứng chốt trong cấu trúc CMOS truyền thống. Điều này cho phépTấm wafer cách điện bằng silicon được sản xuất ở tốc độ cao hơn.

Chức năng dừng khắc: Lớp thiết bị silicon đơn tinh thể và cấu trúc lớp HỘP của tấm wafer SOI tạo điều kiện thuận lợi cho việc sản xuất MEMS và các thiết bị quang điện tử, cung cấp chức năng dừng ăn mòn tuyệt vời.

Thông qua những đặc điểm này,Tấm wafer cách điện bằng siliconđóng vai trò quan trọng trong xử lý chất bán dẫn và thúc đẩy sự phát triển không ngừng của ngành công nghiệp mạch tích hợp (IC) và hệ thống vi cơ điện tử (MEMS). Chúng tôi chân thành mong muốn được giao tiếp và hợp tác hơn nữa với bạn.

Thông số sản phẩm：

Cửa hàng sản xuất:

Tổng quan về chuỗi công nghiệp epitaxy chip bán dẫn：