Trang chủ > Các sản phẩm > Gốm sứ cacbua silic > Lò oxy hóa và khuếch tán > Mái chèo đúc hẫng SiC có độ tinh khiết cao
Mái chèo đúc hẫng SiC có độ tinh khiết cao
  • Mái chèo đúc hẫng SiC có độ tinh khiết caoMái chèo đúc hẫng SiC có độ tinh khiết cao

Mái chèo đúc hẫng SiC có độ tinh khiết cao

VeTek Semiconductor là nhà sản xuất và cải tiến hàng đầu về Mái chèo đúc hẫng SiC có độ tinh khiết cao tại Trung Quốc. Mái chèo đúc hẫng SiC có độ tinh khiết cao thường được sử dụng trong lò khuếch tán bán dẫn làm nền tảng chuyển hoặc tải wafer. VeTek Semiconductor cam kết cung cấp các giải pháp công nghệ và sản phẩm tiên tiến cho ngành bán dẫn. Chúng tôi mong muốn trở thành đối tác lâu dài của bạn tại Trung Quốc.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Mái chèo đúc hẫng SiC có độ tinh khiết cao là thành phần chính được sử dụng trong thiết bị xử lý chất bán dẫn. Sản phẩm được làm từ vật liệu cacbua silic (SiC) có độ tinh khiết cao. Kết hợp với các đặc tính tuyệt vời về độ tinh khiết cao, độ ổn định nhiệt cao và khả năng chống ăn mòn, nó được sử dụng rộng rãi trong các quy trình như chuyển wafer, hỗ trợ và xử lý nhiệt độ cao, mang lại sự đảm bảo đáng tin cậy để đảm bảo độ chính xác của quy trình và chất lượng sản phẩm.


Nói chung, Mái chèo đúc hẫng SiC có độ tinh khiết cao đóng các vai trò cụ thể sau trong quy trình xử lý chất bán dẫn:


Chuyển wafer: Mái chèo đúc hẫng SiC có độ tinh khiết cao thường được sử dụng làm thiết bị chuyển wafer trong lò khuếch tán hoặc lò oxy hóa ở nhiệt độ cao. Độ cứng cao giúp nó có khả năng chống mài mòn và không dễ biến dạng trong quá trình sử dụng lâu dài, đồng thời có thể đảm bảo rằng tấm bán dẫn vẫn được định vị chính xác trong quá trình chuyển giao. Kết hợp với khả năng chống ăn mòn và nhiệt độ cao, nó có thể chuyển các tấm bán dẫn vào và ra khỏi ống lò một cách an toàn trong môi trường nhiệt độ cao mà không gây ô nhiễm hoặc hư hỏng cho các tấm bán dẫn.

Hỗ trợ wafer: Vật liệu SiC có hệ số giãn nở nhiệt thấp, nghĩa là kích thước của nó thay đổi ít hơn khi nhiệt độ thay đổi, giúp duy trì khả năng kiểm soát chính xác trong quá trình. Trong các quy trình lắng đọng hơi hóa học (CVD) hoặc lắng đọng hơi vật lý (PVD), SiC Cantilever Paddle được sử dụng để hỗ trợ và cố định wafer nhằm đảm bảo wafer luôn ổn định và phẳng trong quá trình lắng đọng, từ đó cải thiện tính đồng nhất và chất lượng của màng .

Ứng dụng các quá trình nhiệt độ cao: Mái chèo SiC Cantilever có độ ổn định nhiệt tuyệt vời và có thể chịu được nhiệt độ lên tới 1600°C. Do đó, sản phẩm này được sử dụng rộng rãi trong ủ nhiệt độ cao, oxy hóa, khuếch tán và các quá trình khác.


Các tính chất vật lý cơ bản của Mái chèo đúc hẫng SiC có độ tinh khiết cao:



Mái chèo đúc hẫng SiC có độ tinh khiết caocửa hàng:



Tổng quan về chuỗi công nghiệp epitaxy chip bán dẫn:


Thẻ nóng: Mái chèo đúc hẫng SiC có độ tinh khiết cao, Trung Quốc, Nhà sản xuất, Nhà cung cấp, Nhà máy, Tùy chỉnh, Mua, Nâng cao, Bền, Sản xuất tại Trung Quốc
Danh mục liên quan
Gửi yêu cầu
Xin vui lòng gửi yêu cầu của bạn trong mẫu dưới đây. Chúng tôi sẽ trả lời bạn trong 24 giờ.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept