Mái chèo đúc hẫng SiC

Mái chèo SiC Cantilever của VeTek Semiconductor là một sản phẩm có hiệu suất rất cao. Mái chèo đúc hẫng SiC của chúng tôi thường được sử dụng trong các lò xử lý nhiệt để xử lý và hỗ trợ các tấm silicon, lắng đọng hơi hóa học (CVD) và các quy trình xử lý khác trong quy trình sản xuất chất bán dẫn. Độ ổn định nhiệt độ cao và độ dẫn nhiệt cao của vật liệu SiC đảm bảo hiệu quả và độ tin cậy cao trong quá trình xử lý chất bán dẫn. Chúng tôi cam kết cung cấp các sản phẩm chất lượng cao với giá cả cạnh tranh và mong muốn trở thành đối tác lâu dài của bạn tại Trung Quốc.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Chúng tôi hoan nghênh bạn đến nhà máy Vetek Semiconductor của chúng tôi để mua mái chèo SiC Cantilever bán chạy nhất, giá thấp và chất lượng cao. Chúng tôi mong muốn hợp tác với bạn.

Tính năng của mái chèo SiC Cantilever của VeTek Semiconductor:

Độ ổn định nhiệt độ cao: Có khả năng duy trì hình dạng và cấu trúc ở nhiệt độ cao, thích hợp cho các quá trình xử lý nhiệt độ cao.

Chống ăn mòn: Khả năng chống ăn mòn tuyệt vời đối với nhiều loại hóa chất và khí.

Độ bền và độ cứng cao: Cung cấp sự hỗ trợ đáng tin cậy để ngăn ngừa biến dạng và hư hỏng.

Ưu điểm của mái chèo đúc hẫng SiC của VeTek Semiconductor:

Độ chính xác cao: Độ chính xác xử lý cao đảm bảo hoạt động ổn định trong thiết bị tự động.

Ô nhiễm thấp: Vật liệu SiC có độ tinh khiết cao giúp giảm nguy cơ ô nhiễm, điều này đặc biệt quan trọng đối với môi trường sản xuất siêu sạch.

Tính chất cơ học cao: Có khả năng chịu được môi trường làm việc khắc nghiệt với nhiệt độ và áp suất cao.

Ứng dụng cụ thể của mái chèo SiC Cantilever và nguyên lý ứng dụng

Xử lý tấm silicon trong sản xuất chất bán dẫn:

SiC Cantilever Paddle chủ yếu được sử dụng để xử lý và hỗ trợ các tấm silicon trong quá trình sản xuất chất bán dẫn. Các quá trình này thường bao gồm làm sạch, khắc, phủ và xử lý nhiệt. Nguyên tắc ứng dụng:

Xử lý tấm silicon: SiC Cantilever Paddle được thiết kế để kẹp và di chuyển tấm silicon một cách an toàn. Trong quá trình xử lý hóa học và nhiệt độ cao, độ cứng và độ bền cao của vật liệu SiC đảm bảo tấm wafer silicon sẽ không bị hỏng hoặc biến dạng.

Quá trình lắng đọng hơi hóa học (CVD):

Trong quy trình CVD, SiC Cantilever Paddle được sử dụng để vận chuyển các tấm silicon sao cho các màng mỏng có thể được lắng đọng trên bề mặt của chúng. Nguyên tắc ứng dụng:

Trong quy trình CVD, Mái chèo SiC Cantilever được sử dụng để cố định tấm wafer silicon trong buồng phản ứng, và tiền chất dạng khí bị phân hủy ở nhiệt độ cao và tạo thành một màng mỏng trên bề mặt của tấm wafer silicon. Khả năng chống ăn mòn hóa học của vật liệu SiC đảm bảo hoạt động ổn định trong môi trường nhiệt độ và hóa chất cao.

Thông số sản phẩm của Mái chèo đúc hẫng SiC

Tính chất vật lý của cacbua silic kết tinh
Tài sản	Giá trị điển hình
Nhiệt độ làm việc (° C)	1600°C (có oxy), 1700°C (môi trường khử)
Nội dung SiC	> 99,96%
Nội dung Si miễn phí	< 0,1%
Mật độ lớn	2,60-2,70 g/cm3
Độ rỗng rõ ràng	< 16%
Cường độ nén	> 600 MPa
Độ bền uốn nguội	80-90 MPa (20°C)
Độ bền uốn nóng	90-100 MPa (1400°C)
Giãn nở nhiệt @1500°C	4,70 10-6/°C
Độ dẫn nhiệt @1200°C	23 W/m·K
Mô đun đàn hồi	240 GPa
Nhiệt kháng sốc	Cực kỳ tốt