Chất mang wafer SiC rắn

Chất mang wafer SiC rắn của VeTek Semiconductor được thiết kế cho môi trường chịu nhiệt độ cao và chống ăn mòn trong quy trình epiticular bán dẫn và phù hợp với tất cả các loại quy trình sản xuất wafer có yêu cầu về độ tinh khiết cao. VeTek Semiconductor là nhà cung cấp tấm bán dẫn hàng đầu tại Trung Quốc và mong muốn trở thành đối tác lâu dài của bạn trong ngành bán dẫn.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Chất mang wafer SiC rắn là một thành phần được sản xuất cho môi trường nhiệt độ cao, áp suất cao và ăn mòn của quy trình epiticular bán dẫn và phù hợp với các quy trình sản xuất wafer khác nhau với yêu cầu độ tinh khiết cao.

Chất mang wafer SiC rắn bao phủ các cạnh của wafer, bảo vệ wafer và định vị chính xác nó, đảm bảo sự phát triển của các lớp epiticular chất lượng cao. Vật liệu SiC được sử dụng rộng rãi trong các quy trình như epit Wax pha lỏng (LPE), lắng đọng hơi hóa học (CVD) và lắng đọng hơi hữu cơ kim loại (MOCVD) do tính ổn định nhiệt tuyệt vời, khả năng chống ăn mòn và tính dẫn nhiệt vượt trội. Chất mang wafer SiC rắn của VeTek Semiconductor đã được xác minh trong nhiều môi trường khắc nghiệt và có thể đảm bảo một cách hiệu quả sự ổn định và hiệu quả của quá trình tăng trưởng epiticular wafer.

Vapor-phase epitaxial growth method

Chất mang wafer SiC rắnTính năng sản phẩm

● Độ ổn định nhiệt độ cực cao: Chất mang wafer SiC rắn có thể duy trì ổn định ở nhiệt độ lên tới 1500°C và không dễ bị biến dạng hoặc nứt.

● Khả năng chống ăn mòn hóa học tuyệt vời: Sử dụng vật liệu cacbua silic có độ tinh khiết cao, nó có thể chống ăn mòn từ nhiều loại hóa chất bao gồm axit mạnh, kiềm mạnh và khí ăn mòn, kéo dài tuổi thọ của chất mang wafer.

● Độ dẫn nhiệt cao: Chất mang wafer SiC rắn có độ dẫn nhiệt tuyệt vời và có thể phân tán nhiệt nhanh chóng và đồng đều trong quá trình, giúp duy trì sự ổn định của nhiệt độ wafer và cải thiện tính đồng nhất và chất lượng của lớp epitaxy.

● Tạo hạt thấp: Vật liệu SiC có đặc tính tạo hạt thấp tự nhiên, giúp giảm nguy cơ ô nhiễm và có thể đáp ứng các yêu cầu khắt khe của ngành bán dẫn về độ tinh khiết cao.

Thông số kỹ thuật:

tham số	Sự miêu tả
Vật liệu	Cacbua silic rắn có độ tinh khiết cao
Kích thước wafer áp dụng	4 inch, 6 inch, 8 inch, 12 inch (có thể tùy chỉnh)
Dung sai nhiệt độ tối đa	Lên tới 1500°C
Kháng hóa chất	Kháng axit và kiềm, chống ăn mòn florua
Độ dẫn nhiệt	250 W/(m·K)
Tốc độ tạo hạt	Tạo hạt cực thấp, phù hợp với yêu cầu độ tinh khiết cao
Tùy chọn tùy chỉnh	Kích thước, hình dạng và các thông số kỹ thuật khác có thể được tùy chỉnh theo yêu cầu

Tại sao chọnChất bán dẫn VeTekvòng mang chất nền wafer SiC rắn?

● Độ tin cậy: Sau khi khách hàng cuối kiểm tra nghiêm ngặt và xác minh thực tế, nó có thể cung cấp hỗ trợ lâu dài và ổn định trong các điều kiện khắc nghiệt và giảm nguy cơ gián đoạn quy trình.

● Vật liệu chất lượng cao: Được làm bằng vật liệu SiC chất lượng cao nhất, đảm bảo rằng mỗi vật mang bán dẫn SiC rắn đều đáp ứng các tiêu chuẩn cao của ngành.

● Dịch vụ tùy chỉnh: Hỗ trợ tùy chỉnh nhiều thông số kỹ thuật và yêu cầu kỹ thuật để đáp ứng nhu cầu quy trình cụ thể.

Nếu bạn cần thêm thông tin sản phẩm hoặc đặt hàng, vui lòng liên hệ với chúng tôi. Chúng tôi sẽ cung cấp tư vấn và giải pháp chuyên nghiệp dựa trên nhu cầu cụ thể của bạn để giúp bạn nâng cao hiệu quả sản xuất và giảm chi phí bảo trì.