Phần niêm phong SiC

Phần niêm phong SiC đóng một vai trò quan trọng trong xử lý chất bán dẫn. Đặc tính vật liệu tuyệt vời và hiệu quả bịt kín đáng tin cậy của nó không chỉ nâng cao hiệu quả sản xuất mà còn đảm bảo chất lượng và an toàn sản phẩm.

Ưu điểm chính của phần niêm phong cacbua silic:

Chống ăn mòn tuyệt vời: Trong số các vật liệu gốm tiên tiến, Bộ phận bịt kín VeTeksemi SiC có thể có khả năng chống ăn mòn tốt nhất trong môi trường axit và kiềm. Khả năng chống ăn mòn vượt trội này đảm bảo Bộ phận làm kín SiC có thể hoạt động hiệu quả trong môi trường ăn mòn hóa học, khiến nó trở thành vật liệu không thể thiếu trong các ngành công nghiệp thường xuyên tiếp xúc với các chất ăn mòn.

Nhẹ và mạnh mẽ: Cacbua silic có mật độ xấp xỉ 3,2 g/cm³ và mặc dù là vật liệu gốm nhẹ nhưng độ bền của cacbua silic có thể so sánh với độ bền của kim cương. Sự kết hợp giữa độ nhẹ và độ bền này giúp cải thiện hiệu suất của các bộ phận cơ khí, từ đó tăng hiệu quả và giảm mài mòn trong các ứng dụng công nghiệp đòi hỏi khắt khe. Bản chất nhẹ của Bộ phận bịt kín SiC cũng tạo điều kiện cho việc xử lý và lắp đặt các bộ phận dễ dàng hơn.

Độ cứng cực cao và độ dẫn nhiệt cao: Silicon Carbide có độ cứng Mohs từ 9 ~ 10, sánh ngang với kim cương. Đặc tính này, kết hợp với độ dẫn nhiệt cao (khoảng 120-200 W/m·K ở nhiệt độ phòng), cho phép đệm kín SiC hoạt động trong những điều kiện có thể làm hỏng vật liệu kém chất lượng. Các đặc tính cơ học tuyệt vời của SiC được duy trì ở nhiệt độ lên tới 1600°C, đảm bảo rằng vòng đệm SiC vẫn chắc chắn và đáng tin cậy ngay cả trong các ứng dụng nhiệt độ cao.

Độ cứng cao và chống mài mòn: Silicon Carbide được đặc trưng bởi các liên kết cộng hóa trị mạnh trong mạng tinh thể của nó, tạo cho nó độ cứng cao và mô đun đàn hồi đáng kể. Những đặc tính này mang lại khả năng chống mài mòn tuyệt vời, giảm khả năng bị uốn cong hoặc biến dạng ngay cả sau khi sử dụng lâu dài. Điều này làm cho SiC trở thành sự lựa chọn tuyệt vời cho các bộ phận bịt kín SiC chịu áp lực cơ học liên tục và các điều kiện mài mòn.

Sự hình thành lớp silicon dioxide bảo vệ: Khi tiếp xúc với nhiệt độ khoảng 1300°C trong môi trường giàu oxy, Silicon Carbide tạo thành một lớp silicon dioxide bảo vệ (SiO₂) lớp trên bề mặt của nó. Lớp này hoạt động như một rào cản, ngăn chặn quá trình oxy hóa và tương tác hóa học tiếp theo. Như SiO₂lớp dày lên, nó tiếp tục bảo vệ SiC bên dưới khỏi các phản ứng khác. Quá trình oxy hóa tự giới hạn này mang lại cho SiC khả năng kháng hóa chất và độ ổn định tuyệt vời, giúp phớt SiC phù hợp để sử dụng trong môi trường phản ứng và nhiệt độ cao.

Tính linh hoạt trong các ứng dụng hiệu suất cao:Các đặc tính độc đáo của Silicon Carbide làm cho nó linh hoạt và hiệu quả trong nhiều ứng dụng hiệu suất cao. Từ phốt cơ khí và vòng bi đến bộ trao đổi nhiệt và các bộ phận tuabin, khả năng chịu được các điều kiện khắc nghiệt và duy trì tính toàn vẹn của Bộ phận làm kín SiC khiến nó trở thành vật liệu được lựa chọn trong các giải pháp kỹ thuật tiên tiến.

VeTek Semiconductor đã cam kết cung cấp các giải pháp sản phẩm và công nghệ tiên tiến cho ngành bán dẫn. Ngoài ra, sản phẩm SiC của chúng tôi còn bao gồmLớp phủ silicon cacbua, Gốm sứ cacbua silicVàQuy trình epitaxy SiCcác sản phẩm. Chào mừng bạn tư vấn thêm.

SEM DỮ LIỆU CỦA CẤU TRÚC TINH THỂ PHIM CVD SIC：