SiC Crystal Tăng trưởng Công nghệ mới

Công nghệ mới tăng trưởng tinh thể SiC của VeTek Semiconductor sử dụng các khối CVD-SiC bị loại bỏ để tái chế vật liệu làm nguồn phát triển tinh thể SiC. Bluk CVD-SiC được sử dụng để tăng trưởng đơn tinh thể được chuẩn bị dưới dạng các khối vỡ được kiểm soát kích thước, có sự khác biệt đáng kể về hình dạng và kích thước so với bột SiC thương mại thường được sử dụng trong quy trình PVT, do đó, hành vi tăng trưởng đơn tinh thể SiC được mong đợi để thể hiện hành vi khác biệt đáng kể. Trước khi thí nghiệm tăng trưởng đơn tinh thể SiC được thực hiện, các mô phỏng trên máy tính đã được thực hiện để đạt được tốc độ tăng trưởng cao và vùng nóng được cấu hình phù hợp cho sự tăng trưởng đơn tinh thể. Sau khi tinh thể phát triển, các tinh thể phát triển được đánh giá bằng phương pháp chụp cắt lớp cắt ngang, quang phổ vi Raman, nhiễu xạ tia X có độ phân giải cao và địa hình tia X chùm tia trắng bức xạ synchrotron.

Quy trình sản xuất và chuẩn bị:

1. Chuẩn bị nguồn khối CVD-SiC: Đầu tiên, chúng ta cần chuẩn bị nguồn khối CVD-SiC chất lượng cao, thường có độ tinh khiết cao và mật độ cao. Điều này có thể được điều chế bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD) trong điều kiện phản ứng thích hợp.

2. Chuẩn bị chất nền: Chọn chất nền thích hợp làm chất nền cho sự phát triển đơn tinh thể SiC. Các vật liệu nền thường được sử dụng bao gồm cacbua silic, silicon nitrit, v.v., có khả năng kết hợp tốt với tinh thể đơn SiC đang phát triển.

3. Gia nhiệt và thăng hoa: Đặt nguồn khối CVD-SiC và chất nền vào lò nung nhiệt độ cao và cung cấp các điều kiện thăng hoa thích hợp. Thăng hoa có nghĩa là ở nhiệt độ cao, nguồn khối trực tiếp chuyển từ trạng thái rắn sang trạng thái hơi, sau đó ngưng tụ lại trên bề mặt đế để tạo thành một tinh thể đơn.

4. Kiểm soát nhiệt độ: Trong quá trình thăng hoa, độ dốc nhiệt độ và phân bố nhiệt độ cần phải được kiểm soát chính xác để thúc đẩy quá trình thăng hoa của nguồn khối và sự phát triển của các tinh thể đơn lẻ. Kiểm soát nhiệt độ thích hợp có thể đạt được chất lượng tinh thể và tốc độ tăng trưởng lý tưởng.

5. Kiểm soát không khí: Trong quá trình thăng hoa, không khí phản ứng cũng cần được kiểm soát. Khí trơ có độ tinh khiết cao (như argon) thường được sử dụng làm khí mang để duy trì áp suất và độ tinh khiết thích hợp, đồng thời ngăn ngừa ô nhiễm bởi tạp chất.

6. Tăng trưởng tinh thể đơn: Nguồn khối CVD-SiC trải qua quá trình chuyển pha hơi trong quá trình thăng hoa và ngưng tụ lại trên bề mặt đế để tạo thành cấu trúc tinh thể đơn. Sự phát triển nhanh chóng của các tinh thể đơn SiC có thể đạt được thông qua các điều kiện thăng hoa thích hợp và kiểm soát độ dốc nhiệt độ.

Thông số kỹ thuật:

Độ tinh khiết không bao gồm nitơ: tốt hơn 99,9999%(6N).

Mức độ tạp chất (bằng phép đo khối phổ phóng điện phát sáng)

Xưởng sản xuất lớp phủ SiC:

Chuỗi công nghiệp: