Bộ thu gom lớp phủ SiC phía dưới

VeTek Semiconductor là nhà sản xuất cam kết cung cấp Lớp phủ CVD TaC và Bộ thu lớp phủ CVD SiC chất lượng cao, đồng thời hợp tác chặt chẽ với thiết bị Aixtron để đáp ứng nhu cầu của khách hàng. Cho dù trong quá trình tối ưu hóa quy trình hay phát triển sản phẩm mới, chúng tôi sẵn sàng cung cấp cho bạn hỗ trợ kỹ thuật và trả lời bất kỳ câu hỏi nào bạn có thể có.

Các sản phẩm Aixtron SiC Coating Collector Top, Collector Center và SiC Coating Collector Bottom. Những sản phẩm này là một trong những thành phần chính được sử dụng trong quy trình sản xuất chất bán dẫn tiên tiến.

Sự kết hợp giữa Collector Top, Collector Center và Collector Bottom được phủ Aixtron SiC trong thiết bị Aixtron đóng các vai trò quan trọng sau:

Quản lý nhiệt: Các thành phần này có tính dẫn nhiệt tuyệt vời và có khả năng dẫn nhiệt hiệu quả. Quản lý nhiệt là rất quan trọng trong sản xuất chất bán dẫn. Lớp phủ SiC tại Collector Top, Collector Center và Silicon Carbide Coated Collector Bottom giúp loại bỏ nhiệt hiệu quả, duy trì nhiệt độ quy trình thích hợp và cải thiện việc quản lý nhiệt của thiết bị.

Quán tính hóa học và khả năng chống ăn mòn: Mặt trên Collector được phủ Aixtron SiC, Trung tâm Collector và Đáy Collector có lớp phủ SiC có quán tính hóa học tuyệt vời và có khả năng chống ăn mòn hóa học và oxy hóa. Điều này cho phép chúng hoạt động ổn định trong môi trường hóa học khắc nghiệt trong thời gian dài, cung cấp lớp bảo vệ đáng tin cậy và kéo dài tuổi thọ của các bộ phận.

Hỗ trợ quá trình bay hơi chùm tia điện tử (EB): Các thành phần này được sử dụng trong thiết bị Aixtron để hỗ trợ quá trình bay hơi chùm tia điện tử. Thiết kế và lựa chọn vật liệu của Collector Top, Collector Center và SiC Coating Collector Bottom giúp đạt được sự lắng đọng màng đồng đều và cung cấp chất nền ổn định để đảm bảo chất lượng và tính nhất quán của màng.

Tối ưu hóa môi trường phát triển màng: Collector Top, Collector Center và SiC Coating Collector Bottom tối ưu hóa môi trường phát triển màng trong thiết bị Aixtron. Tính trơ hóa học và tính dẫn nhiệt của lớp phủ giúp giảm tạp chất và khuyết tật, đồng thời cải thiện chất lượng tinh thể và tính nhất quán của màng.

Bằng cách sử dụng Collector Top, Collector Center và SiC Coating Collector Bottom, có thể đạt được khả năng quản lý nhiệt và bảo vệ hóa học trong quy trình sản xuất chất bán dẫn, môi trường phát triển màng có thể được tối ưu hóa, đồng thời có thể cải thiện chất lượng và tính nhất quán của màng. Sự kết hợp của các thành phần này trong thiết bị Aixtron đảm bảo điều kiện xử lý ổn định và sản xuất chất bán dẫn hiệu quả.

Tính chất vật lý cơ bản của lớp phủ CVD SiC:

Chuỗi công nghiệp:

Cửa hàng sản xuất