Công nghệ khắc trong sản xuất chất bán dẫn thường gặp các vấn đề như hiệu ứng tải, hiệu ứng rãnh vi mô và hiệu ứng sạc, ảnh hưởng đến chất lượng sản phẩm. Các giải pháp cải tiến bao gồm tối ưu hóa mật độ plasma, điều chỉnh thành phần khí phản ứng, nâng cao hiệu suất hệ thống chân không, thiết kế bố ......
Đọc thêmThiêu kết ép nóng là phương pháp chính để chế tạo gốm SiC hiệu suất cao. Quá trình thiêu kết ép nóng bao gồm: chọn bột SiC có độ tinh khiết cao, ép và đúc dưới nhiệt độ cao và áp suất cao, sau đó thiêu kết. Gốm SiC được điều chế bằng phương pháp này có ưu điểm là độ tinh khiết cao và mật độ cao, đượ......
Đọc thêmCác phương pháp tăng trưởng chính của silicon Carbide (SiC) bao gồm PVT, TSSG và HTCVD, mỗi phương pháp đều có những ưu điểm và thách thức riêng biệt. Các vật liệu trường nhiệt dựa trên carbon như hệ thống cách nhiệt, nồi nấu kim loại, lớp phủ TaC và than chì xốp tăng cường sự phát triển của tinh th......
Đọc thêmSiC có độ cứng cao, tính dẫn nhiệt và khả năng chống ăn mòn, khiến nó trở nên lý tưởng cho sản xuất chất bán dẫn. Lớp phủ CVD SiC được tạo ra thông qua quá trình lắng đọng hơi hóa học, mang lại độ dẫn nhiệt cao, độ ổn định hóa học và hằng số mạng phù hợp cho sự phát triển của epiticular. Độ giãn nở ......
Đọc thêmCacbua silic (SiC) là vật liệu bán dẫn có độ chính xác cao được biết đến với các đặc tính tuyệt vời như chịu nhiệt độ cao, chống ăn mòn và độ bền cơ học cao. Nó có hơn 200 cấu trúc tinh thể, trong đó 3C-SiC là loại hình khối duy nhất, mang lại độ cầu và mật độ tự nhiên vượt trội so với các loại khác......
Đọc thêmKim cương, một "chất bán dẫn tối thượng" tiềm năng thế hệ thứ tư, đang thu hút sự chú ý trong các chất nền bán dẫn do độ cứng đặc biệt, tính dẫn nhiệt và tính chất điện của nó. Trong khi những thách thức về chi phí và sản xuất cao làm hạn chế việc sử dụng nó, CVD là phương pháp được ưa chuộng hơn. B......
Đọc thêm