Chất nhạy cảm với lớp phủ MOCVD SiC

Chất cảm ứng lớp phủ MOCVD SiC bán dẫn VeTek được làm bằng chất lượng caothan chì, được chọn vì tính ổn định nhiệt và độ dẫn nhiệt tuyệt vời (khoảng 120-150 W/m·K). Các đặc tính vốn có của than chì khiến nó trở thành vật liệu lý tưởng để chịu được các điều kiện khắc nghiệt bên tronglò phản ứng MOCVD. Để cải thiện hiệu suất và kéo dài tuổi thọ sử dụng, chất nhạy cảm than chì được phủ cẩn thận bằng một lớp cacbua silic (SiC).

Chất nhạy cảm với lớp phủ MOCVD SiC là thành phần chính được sử dụng tronglắng đọng hơi hóa học (CVD)Vàquá trình lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại (MOCVD). Chức năng chính của nó là hỗ trợ và làm nóng các tấm silicon hoặc cacbua silic (SiC) và đảm bảo sự lắng đọng khí đồng đều trong môi trường nhiệt độ cao. Nó là một sản phẩm không thể thiếu trong chế biến chất bán dẫn.

Ứng dụng của chất nhạy cảm lớp phủ MOCVD SiC trong xử lý chất bán dẫn:

Hỗ trợ wafer và sưởi ấm:

Chất nhạy cảm với lớp phủ MOCVD SiC không chỉ có chức năng hỗ trợ mạnh mẽ mà còn có thể làm nóng hiệu quảbánh xốpđồng đều để đảm bảo sự ổn định của quá trình lắng đọng hơi hóa học. Trong quá trình lắng đọng, độ dẫn nhiệt cao của lớp phủ SiC có thể nhanh chóng truyền năng lượng nhiệt đến mọi khu vực của tấm bán dẫn, tránh hiện tượng quá nhiệt cục bộ hoặc nhiệt độ không đủ, từ đó đảm bảo khí hóa học có thể được lắng đọng đều trên bề mặt tấm bán dẫn. Hiệu ứng gia nhiệt và lắng đọng đồng đều này giúp cải thiện đáng kể tính nhất quán của quá trình xử lý tấm bán dẫn, làm cho độ dày màng bề mặt của mỗi tấm bán dẫn đồng nhất và giảm tỷ lệ khuyết tật, cải thiện hơn nữa năng suất sản xuất và độ tin cậy hiệu suất của các thiết bị bán dẫn.

Tăng trưởng epitaxy:

trongquá trình MOCVD, Chất mang được phủ SiC là thành phần chính trong quá trình tăng trưởng epitaxy. Chúng được sử dụng đặc biệt để hỗ trợ và làm nóng các tấm bán dẫn silicon và cacbua silic, đảm bảo rằng các vật liệu ở pha hơi hóa học có thể được lắng đọng đồng đều và chính xác trên bề mặt tấm bán dẫn, từ đó hình thành các cấu trúc màng mỏng chất lượng cao, không có khuyết tật. Lớp phủ SiC không chỉ chịu được nhiệt độ cao mà còn duy trì sự ổn định hóa học trong môi trường quy trình phức tạp để tránh ô nhiễm và ăn mòn. Do đó, chất mang được phủ SiC đóng một vai trò quan trọng trong quá trình tăng trưởng epitaxy của các thiết bị bán dẫn có độ chính xác cao như thiết bị nguồn SiC (như SiC MOSFET và điốt), đèn LED (đặc biệt là đèn LED xanh lam và tia cực tím) và pin mặt trời quang điện.

Gallium Nitrat (GaN)và Epitaxy Gallium Arsenide (GaAs):

Chất mang được phủ SiC là sự lựa chọn không thể thiếu cho sự phát triển của các lớp epiticular GaN và GaAs do tính dẫn nhiệt tuyệt vời và hệ số giãn nở nhiệt thấp. Độ dẫn nhiệt hiệu quả của chúng có thể phân phối nhiệt đều trong quá trình tăng trưởng epiticular, đảm bảo rằng mỗi lớp vật liệu lắng đọng có thể phát triển đồng đều ở nhiệt độ được kiểm soát. Đồng thời, độ giãn nở nhiệt thấp của SiC cho phép nó duy trì ổn định kích thước dưới sự thay đổi nhiệt độ khắc nghiệt, giảm nguy cơ biến dạng tấm bán dẫn một cách hiệu quả, từ đó đảm bảo chất lượng cao và tính nhất quán của lớp epiticular. Tính năng này làm cho các vật mang được phủ SiC trở thành lựa chọn lý tưởng để sản xuất các thiết bị điện tử công suất cao, tần số cao (chẳng hạn như thiết bị GaN HEMT) và các thiết bị quang điện tử và truyền thông quang học (chẳng hạn như máy dò và laser dựa trên GaAs).

Chất bán dẫn VeTekCửa hàng nhạy cảm với lớp phủ MOCVD SiC: