Nguyên liệu thô CVD SiC có độ tinh khiết cao

Nguyên liệu thô CVD SiC có độ tinh khiết cao do CVD điều chế là nguồn nguyên liệu tốt nhất để phát triển tinh thể cacbua silic bằng cách vận chuyển hơi vật lý. Mật độ của nguyên liệu thô CVD SiC có độ tinh khiết cao do VeTek Semiconductor cung cấp cao hơn mật độ của các hạt nhỏ hình thành do quá trình đốt cháy tự phát của khí chứa Si và C, đồng thời không cần lò thiêu kết chuyên dụng và có tốc độ bay hơi gần như không đổi. Nó có thể phát triển các tinh thể đơn SiC chất lượng cực cao. Mong nhận được yêu cầu của bạn.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

VeTek Semiconductor đã phát triển một giải pháp mớiNguyên liệu đơn tinh thể SiC- Nguyên liệu thô CVD SiC có độ tinh khiết cao. Sản phẩm này lấp đầy khoảng trống trong nước và cũng ở mức dẫn đầu trên toàn cầu, đồng thời sẽ giữ vị trí dẫn đầu lâu dài trong cuộc cạnh tranh. Nguyên liệu thô cacbua silic truyền thống được tạo ra bằng phản ứng giữa silic có độ tinh khiết cao vàthan chì, có giá thành cao, độ tinh khiết thấp và kích thước nhỏ.

Công nghệ tầng sôi của VeTek Semiconductor sử dụng methyltrichlorosilane để tạo ra nguyên liệu thô cacbua silic thông qua quá trình lắng đọng hơi hóa học và sản phẩm phụ chính là axit clohydric. Axit clohydric có thể tạo thành muối bằng cách trung hòa với kiềm và không gây ô nhiễm môi trường. Đồng thời, methyltrichlorosilane là loại khí công nghiệp được sử dụng rộng rãi, giá thành rẻ và nguồn cung rộng, đặc biệt Trung Quốc là nước sản xuất chính methyltrichlorosilane. Do đó, nguyên liệu thô CVD SiC có độ tinh khiết cao của VeTek Semiconductor có khả năng cạnh tranh hàng đầu quốc tế về chi phí và chất lượng. Độ tinh khiết của nguyên liệu thô CVD SiC có độ tinh khiết cao cao hơn99,9995%.

Ưu điểm của nguyên liệu thô CVD SiC có độ tinh khiết cao

High purity CVD SiC raw materials

● Kích thước lớn và mật độ cao

Kích thước hạt trung bình khoảng 4-10mm và kích thước hạt của nguyên liệu Acheson trong nước là <2,5mm. Cùng một nồi nấu kim loại có thể chứa hơn 1,5kg nguyên liệu thô, điều này có lợi cho việc giải quyết vấn đề cung cấp không đủ vật liệu phát triển tinh thể kích thước lớn, giảm bớt quá trình than chì hóa nguyên liệu thô, giảm lượng cacbon bọc và cải thiện chất lượng tinh thể.

●Tỷ lệ Si/C thấp

Nó gần với tỷ lệ 1:1 hơn so với nguyên liệu thô Acheson của phương pháp tự nhân giống, có thể làm giảm các khuyết tật gây ra do sự gia tăng áp suất riêng phần Si.

●Giá trị đầu ra cao

Các nguyên liệu thô được trồng vẫn duy trì nguyên mẫu, giảm quá trình kết tinh lại, giảm quá trình than chì hóa của nguyên liệu thô, giảm khuyết tật bọc carbon và cải thiện chất lượng của tinh thể.

● Độ tinh khiết cao hơn

Độ tinh khiết của nguyên liệu thô được sản xuất bằng phương pháp CVD cao hơn so với nguyên liệu thô Acheson của phương pháp tự nhân giống. Hàm lượng nitơ đã đạt 0,09ppm mà không cần tinh chế thêm. Nguyên liệu thô này cũng có thể đóng một vai trò quan trọng trong lĩnh vực bán cách điện.

● Chi phí thấp hơn

Tốc độ bay hơi đồng đều tạo điều kiện thuận lợi cho việc kiểm soát chất lượng quy trình và sản phẩm, đồng thời cải thiện tỷ lệ tận dụng nguyên liệu thô (tỷ lệ tận dụng >50%, 4,5kg nguyên liệu tạo ra 3,5kg phôi), giảm chi phí.

●Tỷ lệ lỗi của con người thấp

Sự lắng đọng hơi hóa học giúp tránh các tạp chất do hoạt động của con người đưa vào.

Nguyên liệu thô CVD SiC có độ tinh khiết cao là sản phẩm thế hệ mới được sử dụng để thay thếBột SiC để phát triển tinh thể đơn SiC. Chất lượng của các tinh thể đơn SiC phát triển là cực kỳ cao. Hiện nay VeTek Semiconductor đã làm chủ hoàn toàn công nghệ này. Và nó đã có thể cung cấp sản phẩm này ra thị trường với mức giá rất thuận lợi.

Cửa hàng bán sản phẩm nguyên liệu thô CVD SiC có độ tinh khiết cao VeTek:

SiC Coating Wafer Carrier Semiconductor process equipment CVD SiC Focus Ring SiC Single Crystal Equipment

Thẻ nóng: Nguyên liệu thô CVD SiC có độ tinh khiết cao, Trung Quốc, Nhà sản xuất, Nhà cung cấp, Nhà máy, Tùy chỉnh, Mua, Nâng cao, Bền bỉ, Sản xuất tại Trung Quốc

Thẻ sản phẩm

Danh mục liên quan