Váy phủ CVD SiC
  • Váy phủ CVD SiCVáy phủ CVD SiC

Váy phủ CVD SiC

VeTek Semiconductor là nhà sản xuất, nhà đổi mới và dẫn đầu về Lớp phủ CVD SiC và Lớp phủ TAC tại Trung Quốc. Trong nhiều năm, chúng tôi đã tập trung vào các sản phẩm Lớp phủ CVD SiC khác nhau như Váy phủ CVD SiC, Vòng phủ CVD SiC, Giá đỡ lớp phủ CVD SiC, v.v. VeTek Semiconductor hỗ trợ các dịch vụ sản phẩm tùy chỉnh và giá sản phẩm vừa ý, đồng thời mong nhận được sự hỗ trợ tiếp theo của bạn tư vấn.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Vetek Semiconductor là nhà sản xuất chuyên nghiệp về váy phủ CVD SiC tại Trung Quốc.

Công nghệ epit Wax tia cực tím sâu của thiết bị Aixtron đóng một vai trò quan trọng trong sản xuất chất bán dẫn. Công nghệ này sử dụng nguồn ánh sáng cực tím sâu để lắng đọng các vật liệu khác nhau trên bề mặt tấm bán dẫn thông qua sự tăng trưởng epiticular để đạt được sự kiểm soát chính xác về hiệu suất và chức năng của tấm bán dẫn. Công nghệ epit Wax tia cực tím sâu được sử dụng trong nhiều ứng dụng, bao gồm việc sản xuất các thiết bị điện tử khác nhau từ đèn led đến laser bán dẫn.

Trong quá trình này, lớp phủ CVD SiC đóng vai trò then chốt. Nó được thiết kế để hỗ trợ tấm epitaxy và điều khiển tấm epitaxy quay để đảm bảo tính đồng nhất và ổn định trong quá trình tăng trưởng epitaxy. Bằng cách kiểm soát chính xác tốc độ quay và hướng của chất nhạy cảm than chì, quá trình phát triển của chất mang epiticular có thể được kiểm soát chính xác.

Sản phẩm được làm bằng lớp phủ than chì và silicon cacbua chất lượng cao, đảm bảo hiệu suất tuyệt vời và tuổi thọ dài. Chất liệu than chì nhập khẩu đảm bảo độ ổn định và độ tin cậy của sản phẩm, giúp sản phẩm có thể hoạt động tốt trong nhiều môi trường làm việc khác nhau. Về lớp phủ, vật liệu cacbua silic dưới 5ppm được sử dụng để đảm bảo tính đồng nhất và ổn định của lớp phủ. Đồng thời, quy trình mới và hệ số giãn nở nhiệt của vật liệu than chì tạo thành sự kết hợp tốt, cải thiện khả năng chịu nhiệt độ cao và khả năng chống sốc nhiệt của sản phẩm để vẫn có thể duy trì hiệu suất ổn định trong môi trường nhiệt độ cao.


Tính chất vật lý cơ bản của Váy phủ CVD SiC:

Tính chất vật lý cơ bản của lớp phủ CVD SiC
Tài sản Giá trị điển hình
Cấu trúc tinh thể FCC đa tinh thể pha β, chủ yếu định hướng (111)
Tỉ trọng 3,21 g/cm³
độ cứng Độ cứng 2500 Vickers (tải 500g)
kích thước hạt 2 ~ 10μm
Độ tinh khiết hóa học 99,99995%
Công suất nhiệt 640 J·kg-1·K-1
Nhiệt độ thăng hoa 2700oC
Độ bền uốn 415 MPa RT 4 điểm
Mô-đun của Young Uốn cong 430 Gpa 4pt, 1300oC
Độ dẫn nhiệt 300W·m-1·K-1
Mở rộng nhiệt (CTE) 4,5×10-6K-1


Cửa hàng sản phẩm Váy phủ CVD SiC bán dẫn VeTek:


Tổng quan về chuỗi công nghiệp epitaxy chip bán dẫn:


Thẻ nóng: Váy phủ CVD SiC, Trung Quốc, Nhà sản xuất, Nhà cung cấp, Nhà máy, Tùy chỉnh, Mua, Cao cấp, Bền, Sản xuất tại Trung Quốc
Danh mục liên quan
Gửi yêu cầu
Xin vui lòng gửi yêu cầu của bạn trong mẫu dưới đây. Chúng tôi sẽ trả lời bạn trong 24 giờ.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept