Chất nền SiC loại bán cách điện 4H

Vetek Semiconductor là nhà sản xuất và cung cấp Chất nền SiC loại bán cách điện 4H chuyên nghiệp tại Trung Quốc. Chất nền SiC loại bán cách điện 4H của chúng tôi được sử dụng rộng rãi trong các thành phần chính của thiết bị sản xuất chất bán dẫn. Vetek Semiconductor cam kết cung cấp các giải pháp sản phẩm SiC loại bán cách điện 4H tiên tiến cho ngành bán dẫn. Chào mừng các yêu cầu thêm của bạn.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Chất bán dẫn Vetek 4H Loại bán cách điện SiC đóng nhiều vai trò chính trong quy trình xử lý chất bán dẫn. Kết hợp với điện trở suất cao, độ dẫn nhiệt cao, dải tần rộng và các đặc tính khác, nó được sử dụng rộng rãi trong các trường tần số cao, công suất cao và nhiệt độ cao, đặc biệt là trong các ứng dụng vi sóng và RF. Nó là sản phẩm thành phần không thể thiếu trong quá trình sản xuất chất bán dẫn.

Điện trở suất của Chất nền SiC bán cách điện 4H bán dẫn Vetek thường nằm trong khoảng từ 10^6 Ω·cm đến 10^9 Ω·cm. Điện trở suất cao này có thể ngăn chặn dòng điện ký sinh và giảm nhiễu tín hiệu, đặc biệt là trong các ứng dụng tần số cao và công suất cao. Quan trọng hơn, điện trở suất cao của đế SiC loại 4H SI có dòng rò cực thấp dưới nhiệt độ cao và áp suất cao, có thể đảm bảo độ ổn định và độ tin cậy của thiết bị.

Cường độ điện trường đánh thủng của nền SiC loại 4H SI cao tới 2,2-3,0 MV/cm, điều này quyết định rằng nền SiC loại SI 4H có thể chịu được điện áp cao hơn mà không bị đánh thủng nên sản phẩm rất thích hợp để làm việc dưới điều kiện điều kiện điện áp cao và công suất cao. Quan trọng hơn, đế SiC loại 4H SI có dải thông rộng khoảng 3,26 eV nên sản phẩm có thể duy trì hiệu suất cách nhiệt tuyệt vời ở nhiệt độ cao, điện áp cao và giảm nhiễu điện tử.

Ngoài ra, độ dẫn nhiệt của đế SiC loại 4H SI là khoảng 4,9 W/cm·K nên sản phẩm này có thể giảm thiểu vấn đề tích tụ nhiệt trong các ứng dụng công suất cao một cách hiệu quả và kéo dài tuổi thọ của thiết bị. Thích hợp cho các thiết bị điện tử trong môi trường nhiệt độ cao.

Bằng cách phát triển lớp epiticular GaN trên chất nền cacbua silic bán cách điện, tấm wafer epiticular GaN dựa trên cacbua silic có thể được chế tạo thêm thành các thiết bị tần số vô tuyến vi sóng như HEMT, được sử dụng trong truyền thông thông tin, phát hiện vô tuyến và các lĩnh vực khác.

Vetek Semiconductor không ngừng theo đuổi chất lượng tinh thể và chất lượng xử lý cao hơn để đáp ứng nhu cầu của khách hàng. Hiện tại, các sản phẩm 4 inch và 6 inch đều có sẵn và các sản phẩm 8 inch đang được phát triển.

THÔNG SỐ KỸ THUẬT SẢN PHẨM CƠ BẢN: