VeTek Semiconductor là nhà cải tiến của nhà sản xuất lớp phủ SiC tại Trung Quốc. Vòng nhiệt trước do VeTek Semiconductor cung cấp được thiết kế cho quy trình Epit Wax. Lớp phủ cacbua silic đồng nhất và vật liệu than chì cao cấp làm nguyên liệu thô đảm bảo sự lắng đọng nhất quán và cải thiện chất lượng cũng như tính đồng nhất của lớp epiticular. Chúng tôi rất mong được thiết lập sự hợp tác lâu dài với bạn.
Vòng gia nhiệt trước là thiết bị chính được thiết kế đặc biệt cho quy trình epiticular (EPI) trong sản xuất chất bán dẫn. Nó được sử dụng để làm nóng trước các tấm bán dẫn trước quá trình EPI, đảm bảo sự ổn định và đồng đều về nhiệt độ trong suốt quá trình tăng trưởng epiticular.
Được sản xuất bởi VeTek Semiconductor, Vòng nhiệt trước EPI của chúng tôi cung cấp một số tính năng và ưu điểm đáng chú ý. Đầu tiên, nó được chế tạo bằng vật liệu dẫn nhiệt cao, cho phép truyền nhiệt nhanh chóng và đồng đều đến bề mặt wafer. Điều này ngăn ngừa sự hình thành các điểm nóng và độ dốc nhiệt độ, đảm bảo sự lắng đọng nhất quán và cải thiện chất lượng cũng như tính đồng nhất của lớp epitaxy.
Ngoài ra, Vòng gia nhiệt trước EPI của chúng tôi được trang bị hệ thống kiểm soát nhiệt độ tiên tiến, cho phép kiểm soát chính xác và nhất quán nhiệt độ gia nhiệt trước. Mức độ kiểm soát này nâng cao độ chính xác và khả năng lặp lại của các bước quan trọng như phát triển tinh thể, lắng đọng vật liệu và phản ứng bề mặt trong quá trình EPI.
Độ bền và độ tin cậy là những khía cạnh thiết yếu trong thiết kế sản phẩm của chúng tôi. Vòng nhiệt trước EPI được chế tạo để chịu được nhiệt độ và áp suất vận hành cao, duy trì sự ổn định và hiệu suất trong thời gian dài. Phương pháp thiết kế này giúp giảm chi phí bảo trì và thay thế, đảm bảo độ tin cậy lâu dài và hiệu quả vận hành.
Việc lắp đặt và vận hành Vòng nhiệt trước EPI rất đơn giản vì nó tương thích với các thiết bị EPI thông thường. Nó có cơ chế lấy và đặt wafer thân thiện với người dùng, nâng cao sự thuận tiện và hiệu quả hoạt động.
Tại VeTek Semiconductor, chúng tôi cũng cung cấp các dịch vụ tùy chỉnh để đáp ứng các yêu cầu cụ thể của khách hàng. Điều này bao gồm việc điều chỉnh kích thước, hình dạng và phạm vi nhiệt độ của Vòng nhiệt trước EPI để phù hợp với nhu cầu sản xuất riêng.
Đối với các nhà nghiên cứu và nhà sản xuất liên quan đến tăng trưởng epiticular và sản xuất thiết bị bán dẫn, Vòng nhiệt trước EPI của VeTek Semiconductor mang lại hiệu suất vượt trội và sự hỗ trợ đáng tin cậy. Nó đóng vai trò như một công cụ quan trọng trong việc đạt được sự tăng trưởng epiticular chất lượng cao và tạo điều kiện thuận lợi cho các quy trình sản xuất thiết bị bán dẫn hiệu quả.
Tính chất vật lý cơ bản của lớp phủ CVD SiC | |
Tài sản | Giá trị điển hình |
Cấu trúc tinh thể | FCC đa tinh thể pha β, chủ yếu định hướng (111) |
Tỉ trọng | 3,21 g/cm³ |
độ cứng | Độ cứng 2500 Vickers (tải 500g) |
Kích thước hạt | 2 ~ 10μm |
Độ tinh khiết hóa học | 99,99995% |
Nhiệt dung | 640 J·kg-1·K-1 |
Nhiệt độ thăng hoa | 2700oC |
Độ bền uốn | 415 MPa RT 4 điểm |
Mô-đun của Young | Uốn cong 430 Gpa 4pt, 1300oC |
Dẫn nhiệt | 300W·m-1·K-1 |
Mở rộng nhiệt (CTE) | 4,5×10-6K-1 |