Nồi nấu kim loại cho silicon đơn tinh thể

Trong phương pháp CZ (Czochralski), một tinh thể đơn được phát triển bằng cách đưa một hạt đơn tinh thể tiếp xúc với silicon đa tinh thể nóng chảy. Hạt giống dần dần được kéo lên trên trong khi được quay chậm. Trong quá trình này, một số lượng đáng kể các bộ phận than chì được sử dụng, khiến nó trở thành phương pháp sử dụng số lượng thành phần than chì cao nhất trong sản xuất chất bán dẫn silicon.

Hình ảnh dưới đây trình bày sơ đồ của lò sản xuất đơn tinh thể silicon dựa trên phương pháp CZ.

Nồi nấu kim loại silicon đơn tinh thể của Vetek Semiconductor cung cấp một môi trường ổn định và được kiểm soát, rất quan trọng cho sự hình thành chính xác của các tinh thể bán dẫn. Chúng là công cụ để phát triển các thỏi silicon đơn tinh thể bằng cách sử dụng các kỹ thuật tiên tiến như quy trình Czochralski và phương pháp vùng nổi, rất quan trọng để sản xuất vật liệu chất lượng cao cho các thiết bị điện tử.

Được thiết kế để có độ ổn định nhiệt vượt trội, khả năng chống ăn mòn hóa học và giãn nở nhiệt ở mức tối thiểu, những chiếc nồi nấu này đảm bảo độ bền và độ chắc chắn. Chúng được thiết kế để chịu được môi trường hóa học khắc nghiệt mà không ảnh hưởng đến tính toàn vẹn hoặc hiệu suất của cấu trúc, nhờ đó kéo dài tuổi thọ của nồi nấu kim loại và duy trì hiệu suất ổn định khi sử dụng kéo dài.

Thành phần độc đáo của Nồi nấu kim loại bán dẫn Vetek dành cho silicon đơn tinh thể cho phép chúng chịu đựng được các điều kiện khắc nghiệt của quá trình xử lý ở nhiệt độ cao. Điều này đảm bảo độ ổn định và độ tinh khiết nhiệt đặc biệt, rất quan trọng cho quá trình xử lý chất bán dẫn. Chế phẩm này cũng tạo điều kiện cho việc truyền nhiệt hiệu quả, thúc đẩy quá trình kết tinh đồng đều và giảm thiểu độ dốc nhiệt trong silicon nóng chảy.

Ưu điểm của chất nhạy cảm với lớp phủ SiC của chúng tôi:

Bảo vệ vật liệu cơ bản: Lớp phủ CVD SiC hoạt động như một lớp bảo vệ trong quá trình epiticular, che chắn hiệu quả vật liệu cơ bản khỏi bị xói mòn và hư hỏng do môi trường bên ngoài gây ra. Biện pháp bảo vệ này giúp kéo dài đáng kể tuổi thọ của thiết bị.

Độ dẫn nhiệt tuyệt vời: Lớp phủ CVD SiC của chúng tôi có độ dẫn nhiệt vượt trội, truyền nhiệt hiệu quả từ vật liệu nền đến bề mặt lớp phủ. Điều này giúp nâng cao hiệu quả quản lý nhiệt trong quá trình epitaxy, đảm bảo nhiệt độ vận hành tối ưu cho thiết bị.

Chất lượng màng được cải thiện: Lớp phủ CVD SiC mang lại bề mặt phẳng và đồng đều, tạo nền tảng lý tưởng cho sự phát triển của màng. Nó làm giảm các khuyết tật do mạng tinh thể không khớp, tăng cường độ kết tinh và chất lượng của màng epiticular và cuối cùng là cải thiện hiệu suất và độ tin cậy của nó.

Hãy chọn Chất nhạy cảm với lớp phủ SiC của chúng tôi cho nhu cầu sản xuất tấm bán dẫn epiticular của bạn và được hưởng lợi từ khả năng bảo vệ nâng cao, độ dẫn nhiệt vượt trội và chất lượng màng được cải thiện. Hãy tin tưởng vào các giải pháp đổi mới của VeTek Semiconductor để thúc đẩy thành công của bạn trong ngành bán dẫn.

Các cửa hàng sản xuất:

Tổng quan về chuỗi công nghiệp epitaxy chip bán dẫn: